這是受集膚效應(yīng)(SkinEffect)的影響。RDM

存儲(chǔ)器RAM(Random AccessMemory)兩種。其中，ROM存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)是信息可長(zhǎng)久保存，它內(nèi)部的信息是采用存儲(chǔ)器讀寫(xiě)器等專(zhuān)用設(shè)備固化的。而RAM存放的數(shù)據(jù)在斷電后會(huì)丟失，所以只用于CPU工作時(shí)的信息暫存。
由于小家電產(chǎn)品的信息、數(shù)據(jù)較單一，所以存

集膚效應(yīng)為高頻信號(hào)傳輸時(shí)在導(dǎo)線(xiàn)產(chǎn)生電磁感應(yīng)，在導(dǎo)線(xiàn)截面中心處電感較大，使得電流或信號(hào)趨于導(dǎo)線(xiàn)表面集中。導(dǎo)體表層粗糙度影響到傳輸信號(hào)損失，表面光滑損失小。在相同頻率下，銅表面粗糙度越大，信號(hào)損耗越大，

如ROM、RAM等芯片旁邊安裝去耦電容。實(shí)際上，RDM

或者半固化環(huán)氧玻璃布與銅箔層壓的積層難以達(dá)到精細(xì)線(xiàn)路?，F(xiàn)在趨于采用半加成法(SAP)或改進(jìn)型半加工法(MSAP)，即采用絕緣介質(zhì)膜積層，再化學(xué)鍍銅形成銅導(dǎo)體層，因銅層極薄容易形成精細(xì)線(xiàn)路。半加成法技術(shù)重點(diǎn)之一是積層介質(zhì)材料，為符合高密度細(xì)線(xiàn)路要求對(duì)積層材料提出介質(zhì)電氣性、絕緣性、耐熱性、

電路板走線(xiàn)、引腳連線(xiàn)和接線(xiàn)等都可能含有較大的電感效應(yīng)。大的電感可能會(huì)在Vcc走線(xiàn)上引起嚴(yán)重的開(kāi)關(guān)噪聲尖峰。防止Vcc走線(xiàn)上開(kāi)關(guān)噪聲尖峰的唯一方法，是在VCC與電源地之間安放一個(gè)0.1uF的電子去耦電容。如果電路板上使用的是表，

能夠級(jí)聯(lián)多DMX燈具，RDM

修。
提示　目前，許多資料將保護(hù)性關(guān)機(jī)故障稱(chēng)為開(kāi)機(jī)復(fù)位，這是錯(cuò)誤的，因?yàn)殚_(kāi)機(jī)復(fù)位指的是CPU內(nèi)電路在開(kāi)機(jī)瞬間進(jìn)行的清零復(fù)位過(guò)程。
2.典型故障
若微處理器的三個(gè)基本工作條件電路異常，微處理器不能工作，會(huì)產(chǎn)生整機(jī)不工

可以配合LED DMX驅(qū)動(dòng)組成一個(gè)完整的DMX控制系統(tǒng)。在大型的LED戶(hù)外裝飾工程中由DMX512控制器和DMX驅(qū)動(dòng)組成的控制系統(tǒng)得到廣泛的應(yīng)用目前國(guó)內(nèi)通常DMX512控制器內(nèi)置3針XLR接口，這點(diǎn)很不好，國(guó)外都采用5針，這樣可以跟音頻連接線(xiàn)區(qū)分。